RHEED分析システム（kSA 400 Analytical RHEED System）、各種RHEEDシステムと薄膜堆積システム（例えば：パルスレーザー堆積設備PLD、スパッタリングシステムSputering、分子ビームエピタクシーMBE、金属有機化学気象堆積MOCVDなど）に適合する！現在、第4世代システムは良質なハードウェアとソフトウェアを結合し、顧客に豊富なRHEED分析情報を提供している。

世界で500人以上のユーザー、国内例えば南京大学、中国科学院半導体所、電子部11所、中国科学技術大学、復旦大学、上海技術物理研究所など、
MkSA 400 Analytical RHEED System資料ダウンロード

技術パラメータ：
•CCDシステム：高速、高分解能、高感度
•光学系：RHEED定量分析及びイメージング分析
•標準インタフェースフランジ

主な特徴：
•画像解析：単一画像解析（静止解析）モード、ユーザー選択多画像モード、フォーカスモード、スキャンモード、録画モード、インタラクティブ画像重畳モード、2 Dと3 D画像解析、
•リアルタイム回折ストライプ進化監視撮影、
•リアルタイムフィルム堆積速度測定、
•その場表面診断分析
•強力なソフトウェア解析機能
•RHEED振動追跡検出
•拡張性：Phase Locked Epitaxy（PLE）、LEED、Auger/XPS、電子銃制御とロッキングカーブスキャン、

実際の用途：